EUV 极紫外光刻机
13.5nm 波长光源,面向 7nm 及以下先进逻辑与存储制程,多层膜光学与高真空曝光平台。
先进制程LITHOGRAPHY SERIES
从 13.5nm EUV 到 i-line/g-line,从激光直写到纳米压印与先进封装光刻,EUVTEK 提供面向不同制程节点的全谱系光刻装备。
13.5nm 波长光源,面向 7nm 及以下先进逻辑与存储制程,多层膜光学与高真空曝光平台。
先进制程ArF 193nm 浸没式曝光,高数值孔径与双工件台,支撑先进逻辑与存储的量产主力节点。
量产主力ArF / KrF 248nm 干式曝光,成熟逻辑、存储与特种工艺的高性价比主力机型。
成熟制程365nm / 436nm 紫外曝光,面向功率器件、模拟芯片、MEMS 与化合物半导体的成熟量产。
成熟量产无掩模直写曝光,快速原型、小批量流片与掩模制造,缩短研发周期、降低试错成本。
快速原型面向微纳结构、光学器件与生物芯片的压印曝光方案,高分辨、低成本、可量产。
微纳结构面向晶圆级封装、2.5D/3D 与面板级封装的厚胶高深宽比曝光,助力先进封装产线。
先进封装FULL TAPE-OUT EQUIPMENT
围绕光刻核心工艺,EUVTEK 提供从晶圆前处理到量测检测的全流程流片装备,以整线集成交付降低客户建线与扩产复杂度。
Track 系列:光刻胶涂覆、烘烤与显影,工艺均匀性与颗粒控制满足量产要求。
EUV/DUV/i-line 全系列光刻机,配合对准与套刻测量实现关键层图形转移。
ICP / RIE / 介质刻蚀:逻辑、存储与功率器件的精细图形刻蚀。
PVD / CVD / ALD / 外延:金属、介质与半导体薄膜的均匀沉积。
高精度掺杂注入,能量与剂量控制满足器件阈值与结深要求。
单片/槽式清洗:颗粒、金属离子与有机残留去除,洁净度达 ppb 级。
炉管与快速热退火(RTP):氧化、扩散、退火工艺温度均匀控制。
CD-SEM / 套刻量测 / 缺陷检测 / OCD:关键尺寸与缺陷在线监控。
EFEM / SMIF / 晶圆机器人:全自动搬送与产线互联,提升设备稼动率。
光刻胶涂覆、预烘与冷却,为曝光建立均匀稳定的工艺基准。
全系列光刻机完成图形转移,套刻精度与分辨率双达标。
干法刻蚀与薄膜沉积交替执行,构建器件三维结构。
离子注入实现掺杂,湿法清洗保障各环节界面洁净。
关键尺寸、套刻与缺陷在线闭环,确保流片良率可控。
WHY EUVTEK
EUVTEK 以整线集成与工艺服务为核心,让每一台设备都服务于客户真实的量产目标。
光刻机与前后道设备统一规划、接口标准化,从单机销售到整线交钥匙一站式完成。
配套工艺调试与 Recipe 开发服务,在交付前完成关键工艺窗口验证。
气浮/磁浮运动台与亚纳米级位置反馈,运动与套刻精度达到 nm 级。
平台化模块设计,按工艺需求灵活配置,缩短交付与扩产周期。
常备件仓库与就近服务团队,7×24 响应,降低客户停机风险。
设备按 ISO 洁净室与 SEMI S2/S8 等标准设计制造,安全与可维护性并重。
SERVICE & SUPPORT
从装机到量产,EUVTEK 提供覆盖设备全生命周期的专业服务,让产线稳定运行。
专业团队完成装机、校准、工艺验收,交付即具备量产条件。
操作、维护与工艺开发三级培训体系,帮助客户团队快速上手。
关键备件常备库存与供应保障,缩短维修与更换周期。
7×24 远程诊断、软件升级与预防性维护,防患于未然。
APPLICATIONS
EUVTEK 全系列光刻机与流片设备,服务于从先进节点到特色工艺的多元应用场景。
EUV / 浸没式 DUV 组合曝光,支撑 7nm 及以下先进逻辑制程。
逻辑制程高密度存储阵列光刻与刻蚀方案,兼顾良率与产能。
DRAM / 3D NANDi-line / KrF 光刻与深沟槽工艺,服务 IGBT、MOSFET 等功率器件。
功率器件SiC / GaN 特色工艺流片装备,覆盖衬底到器件制造。
SiC / GaN高深宽比刻蚀与键合工艺设备,支撑 MEMS 器件规模化量产。
MEMS晶圆级与面板级封装光刻设备,赋能 2.5D/3D 集成封装。
先进封装ABOUT EUVTEK
EUVTEK 聚焦全系列光刻机与芯片流片全套设备,致力于为半导体制造企业提供 自主可控、稳定可靠的核心装备与整线解决方案。我们相信,装备自主是产业自主的基石。
核心装备自主化,让产业链的每一步都握在自己手里。
以纳米级标准打磨每一个运动与控制环节。
整线交付与工艺陪伴,与客户共担量产目标。
十年磨一剑,做时间的朋友,做产业的基石。
CONTACT
欢迎晶圆厂、封装厂、科研院所与产业伙伴联系我们,共同推进全系列光刻机与流片全套设备的落地应用。